H5TC4G63CFR-H9I vs K4B4G1646E-BYMA Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng H5TC4G63CFR-H9I sa pamamagitan ng SK hynix at K4B4G1646E-BYMA sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | H5TC4G63CFR-H9I | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Brand | SK hynix | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Presyo ng Yunit (USD) | — | $14.32 |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Organisasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35 V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| I/O Voltage | 1.35 V | — |
| Rate ng Data | 1866 Mbps (PC3-14900) | 1866 Mbps/pin |
| Packhaging | 96-ball TFBGA | FBGA-96 |
| Temperature Grade | Industrial (-40°C to +95°C) | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Memory Width | 16 bits | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Wala sa Halogen | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Latensya ng CAS | Programmable (11, 12, 13) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8 and 4 | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Refresh Modes | Auto-refresh, Self-refresh | — |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Temperature na Operasyon | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Uri ng Pagpapasok | — | Surface Mount |
| RoHS | — | Compliant |
| Bilang ng Pins | — | 96 |