H5TC4G63CFR-H9I vs K4B4G1646E-BYMA Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma H5TC4G63CFR-H9I tarafından SK hynix ve K4B4G1646E-BYMA tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

SK hynix
H5TC4G63CFR-H9I H5TC4G63CFR-H9I - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9I - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9I ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre H5TC4G63CFR-H9I K4B4G1646E-BYMA
Marka SK hynix Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) — $14,32
Bellek Türü DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4 Gb
Organizasyon 256M x 16 256M x 16
Besleme Gerilimi 1.35 V 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
I/O Voltage 1.35 V —
Veri Hızı 1866 Mbps (PC3-14900) 1866 Mbps/pin
Paket 96-ball TFBGA FBGA-96
Temperature Grade Industrial (-40°C to +95°C) —
Number of Terminals 96 —
Memory Width 16 bits —
Lead-Free Yes —
Klorürsüz Yes —
RoHS Compliant Yes —
CAS Gecikme Programmable (11, 12, 13) [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length 8 and 4 [DATA_NEEDED: Burst Length]
On-Die Termination Yes —
Refresh Modes Auto-refresh, Self-refresh —
Clock Frequency — 933 MHz
İşletim Sıcaklığı — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
Montaj Türü — Surface Mount
RoHS — Compliant
Pin Sayısı — 96

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin