H5TC4G63CFR-H9I vs K4B4G1646E-BYMA So sánh

So sánh chi tiết song song của H5TC4G63CFR-H9I bằng SK hynix và K4B4G1646E-BYMA bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

SK hynix
H5TC4G63CFR-H9I H5TC4G63CFR-H9I - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9I - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9I ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số H5TC4G63CFR-H9I K4B4G1646E-BYMA
Thương hiệu SK hynix Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Giá đơn vị (USD) — $14,32
Kiểu bộ nhớ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4 Gb
Tổ chức 256M x 16 256M x 16
Điện áp cung cấp 1.35 V 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
I/O Voltage 1.35 V —
Tốc độ dữ liệu 1866 Mbps (PC3-14900) 1866 Mbps/pin
Hộp 96-ball TFBGA FBGA-96
Temperature Grade Industrial (-40°C to +95°C) —
Number of Terminals 96 —
Memory Width 16 bits —
Lead-Free Yes —
Đông trùng haogen Yes —
RoHS Compliant Yes —
Latency CAS Programmable (11, 12, 13) [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length 8 and 4 [DATA_NEEDED: Burst Length]
On-Die Termination Yes —
Refresh Modes Auto-refresh, Self-refresh —
Clock Frequency — 933 MHz
Nhiệt độ hoạt động — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
Kiểu lắp đặt — Surface Mount
RoHS — Compliant
Số lượng chân — 96

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá