K4A8G085WC-BCTD vs K4A8G085WC-BCRC Perbandingan

Perbandingan bersamaan detil K4A8G085WC-BCTD dari Samsung Electronics dan K4A8G085WC-BCRC dari Samsung Electronics. Bandingkan spesifikasi penting, parameter listrik, pengemasan, status cycle, harga, dan ketersediaan untuk menentukan komponen terbaik untuk kebutuhan desain Anda.

Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD ⚠ Waktu Beli Terakhir
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCRC K4A8G085WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WC-BCRC ✓ Aktif

Perbandingan Spesifikasi

Parameter Umum K4A8G085WC-BCTD K4A8G085WC-BCRC
Merek Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs DRAM
Status Lingkungan Hidup Waktu Pembelian Terakhir Aktif
Tipe Memori DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gbit
Organisasi 1G x 8 1G x 8
Laju Data 2666 Mbps (PC4-2133) 2400 Mbps (DDR4-2400)
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) —
Paket 78-ball FBGA (78FBGA) 78-ball FBGA (TFBGA)
Ball Pitch 0.8 mm —
Suhu Kerja 0C to +95C 0C to +95C
Standard Operating Temp Range 0C to +85C —
Burst Length 8 (chop 4) —
Auto Precharge Yes Yes
Asynchronous Reset Yes Yes
CRC Function Yes Yes
ZQ Calibration Yes Yes
Dynamic ODT Yes —
Data Mask Yes —
Tipe Antarmuka Synchronous, parallel —
Tipe Mounting Surface Mount Surface Mount
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Tegangan Pemuat — 1.2 V
Terminal Pitch — 0.8 mm
Dynamic On-Die Termination — Yes
Data Mask Function — Yes
Refresh — Auto/Self refresh

Spek dan Sumber

Buka Semua Produk Buat BOM Ajukan Diskon