K4B4G1646D-BMK0 vs MT41K256M16HA-125 Perbandingan

Perbandingan bersamaan detil K4B4G1646D-BMK0 dari Samsung Electronics dan MT41K256M16HA-125 dari Micron Technology. Bandingkan spesifikasi penting, parameter listrik, pengemasan, status cycle, harga, dan ketersediaan untuk menentukan komponen terbaik untuk kebutuhan desain Anda.

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BMK0 K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BMK0 ✓ Aktif
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ Aktif

Perbandingan Spesifikasi

Parameter Umum K4B4G1646D-BMK0 MT41K256M16HA-125
Merek Samsung Electronics Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Harga Unit (USD) — $6,36
Density 4 Gb —
Organisasi 256M x 16 —
Speed Grade 1600 Mbps (PC3L-12800) —
Voltage 1.35 V —
Suhu Kerja -40°C to 95°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Paket 96FBGA (TFBGA) 96-FBGA (9x14 mm)
Tipe Memori DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Die Version D-die —
Lead-Free Yes Yes
Bebas Halogen Yes —
RoHS Compliant Yes —
Number of Terminals 96 —
Package Code TFBGA —
Number of Functions 1 —
Laju Data 1600 Mbps —
Ukuran Memori — 4Gbit (256M x 16)
Lebar Bus Data — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 13.75 ns
Tegangan Pemuat — 1.35 V
Jumlah Pin — 96
Tipe Mounting — Surface Mount
Status RoHS — Compliant
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C
Latensi CAS — 11

Spek dan Sumber

Buka Semua Produk Buat BOM Ajukan Diskon