K4B4G1646D-BMK0 vs MT41K256M16HA-125 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של K4B4G1646D-BMK0 מאת Samsung Electronics ו MT41K256M16HA-125 מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BMK0 K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BMK0 ✓ פעיל
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר K4B4G1646D-BMK0 MT41K256M16HA-125
מותג Samsung Electronics Micron Technology
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
מחיר ליחידה (USD) — $6.36
Density 4 Gb —
ארגון 256M x 16 —
Speed Grade 1600 Mbps (PC3L-12800) —
Voltage 1.35 V —
טמפרטורת פעולה -40°C to 95°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
מארז 96FBGA (TFBGA) 96-FBGA (9x14 mm)
סוג זיכרון DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Die Version D-die —
Lead-Free Yes Yes
נטול הלוגנים Yes —
RoHS Compliant Yes —
Number of Terminals 96 —
Package Code TFBGA —
Number of Functions 1 —
קצב נתונים 1600 Mbps —
גודל זיכרון — 4Gbit (256M x 16)
רוחב אפיק נתונים — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 13.75 ns
מתח אספקה — 1.35 V
מספר פינים — 96
סוג הרכבה — Surface Mount
סטטוס RoHS — Compliant
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C
השהיית CAS — 11

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר