K4B4G1646D-BMK0 vs MT41K256M16HA-125 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4B4G1646D-BMK0 tarafından Samsung Electronics ve MT41K256M16HA-125 tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BMK0 K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BMK0 ✓ Aktif
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4B4G1646D-BMK0 MT41K256M16HA-125
Marka Samsung Electronics Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) — $6,36
Density 4 Gb —
Organizasyon 256M x 16 —
Speed Grade 1600 Mbps (PC3L-12800) —
Voltage 1.35 V —
İşletim Sıcaklığı -40°C to 95°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Paket 96FBGA (TFBGA) 96-FBGA (9x14 mm)
Bellek Türü DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Die Version D-die —
Lead-Free Yes Yes
Klorürsüz Yes —
RoHS Compliant Yes —
Number of Terminals 96 —
Package Code TFBGA —
Number of Functions 1 —
Veri Hızı 1600 Mbps —
Bellek Boyutu — 4Gbit (256M x 16)
Veri Bus Genişliği — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 13.75 ns
Besleme Gerilimi — 1.35 V
Pin Sayısı — 96
Montaj Türü — Surface Mount
RoHS Durumu — Compliant
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C
CAS Gecikme — 11

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin