K4B4G1646D-BMK0 vs MT41K256M16HA-125 Ikinahambing

Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng K4B4G1646D-BMK0 sa pamamagitan ng Samsung Electronics at MT41K256M16HA-125 sa pamamagitan ng Micron Technology. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BMK0 K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BMK0 ✓ Nakahanda
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ Nakahanda

Pagsanggunian na paghahambing

Parametro K4B4G1646D-BMK0 MT41K256M16HA-125
Brand Samsung Electronics Micron Technology
Kategorya Memory ICs Memory ICs
Katayuan ng Lifecycle Aktibo Aktibo
Presyo ng Yunit (USD) — $6.36
Density 4 Gb —
Organisasyon 256M x 16 —
Speed Grade 1600 Mbps (PC3L-12800) —
Voltage 1.35 V —
Temperature na Operasyon -40°C to 95°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Packhaging 96FBGA (TFBGA) 96-FBGA (9x14 mm)
Uri ng Memory DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Die Version D-die —
Lead-Free Yes Yes
Wala sa Halogen Yes —
RoHS Compliant Yes —
Number of Terminals 96 —
Package Code TFBGA —
Number of Functions 1 —
Rate ng Data 1600 Mbps —
Laki ng Memory — 4Gbit (256M x 16)
Width ng Data Bus — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 13.75 ns
Volte ng Pagbibigay — 1.35 V
Bilang ng Pins — 96
Uri ng Pagpapasok — Surface Mount
Tindminan RoHS — Compliant
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C
Latensya ng CAS — 11

Mga Datasheets at Resources

Tingnan ang Lahat ng mga Produkto Lumikha ng BOM Hilingin ang Kita