1ED020I12B2XUMA1 vs 1EDI60H12AHXUMA1 比較

詳細な並列比較: 1ED020I12B2XUMA1 メーカー: Infineon および 1EDI60H12AHXUMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ 1ED020I12B2XUMA1 1EDI60H12AHXUMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.65 $2.18
Driver Type Single-channel IGBT gate driver, galvanically isolated —
Isolation Technology Coreless transformer (magnetic coupling) Galvanic isolation via coreless transformer
Isolation Voltage (Vrms) 4500 Vrms —
Number of Channels 1 1
Output Current (typ.) 2 A source / 2 A sink —
Propagation Delay (typ.) 35 ns —
Supported Switch Voltage Class Up to 1200 V IGBT / SiC MOSFET —
DESAT Protection Yes (programmable threshold) —
Miller Clamp Yes (integrated 2 A clamp FET) —
Input Supply (VCC1) 5 V (logic side) —
Output Supply (VCC2) Unipolar 15 V or bipolar -8.5 V / 15 V —
パッケージ PG-DSO-16-15 (300 mil wide-body DSO-16) PG-DSO-8-59 (DSO-8 with 8 mm creepage)
Creepage Distance 8 mm 8 mm
動作温度 -40 °C to +125 °C -40C to +125C [DATA_NEEDED: confirm exact range from datasheet]
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル MSL-3 (per JEDEC J-STD-020) 2 (1 year floor life)
Compliance RoHS compliant —
Product Type — Single-channel high-side gate driver IC
Isolation Voltage Rating — 1200 V
Peak Source Current (typ.) — 10.0 A
Peak Sink Current (typ.) — 9.4 A
出力構成 — Separate source and sink (SEP) outputs
Input Compatibility — CMOS / TTL logic
Driven Device — IGBT (and MOSFET / SiC compatible)
Short-Circuit Protection — Short-circuit clamping
RoHS ステータス — Compliant

データシート&リソース

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