1ED020I12B2XUMA1 vs 1EDI60H12AHXUMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: 1ED020I12B2XUMA1 제조: Infineon 및 1EDI60H12AHXUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 1ED020I12B2XUMA1 1EDI60H12AHXUMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.65 $2.18
Driver Type Single-channel IGBT gate driver, galvanically isolated —
Isolation Technology Coreless transformer (magnetic coupling) Galvanic isolation via coreless transformer
Isolation Voltage (Vrms) 4500 Vrms —
Number of Channels 1 1
Output Current (typ.) 2 A source / 2 A sink —
Propagation Delay (typ.) 35 ns —
Supported Switch Voltage Class Up to 1200 V IGBT / SiC MOSFET —
DESAT Protection Yes (programmable threshold) —
Miller Clamp Yes (integrated 2 A clamp FET) —
Input Supply (VCC1) 5 V (logic side) —
Output Supply (VCC2) Unipolar 15 V or bipolar -8.5 V / 15 V —
패키지 PG-DSO-16-15 (300 mil wide-body DSO-16) PG-DSO-8-59 (DSO-8 with 8 mm creepage)
Creepage Distance 8 mm 8 mm
동작 온도 -40 °C to +125 °C -40C to +125C [DATA_NEEDED: confirm exact range from datasheet]
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 MSL-3 (per JEDEC J-STD-020) 2 (1 year floor life)
Compliance RoHS compliant —
Product Type — Single-channel high-side gate driver IC
Isolation Voltage Rating — 1200 V
Peak Source Current (typ.) — 10.0 A
Peak Sink Current (typ.) — 9.4 A
출력 구성 — Separate source and sink (SEP) outputs
Input Compatibility — CMOS / TTL logic
Driven Device — IGBT (and MOSFET / SiC compatible)
Short-Circuit Protection — Short-circuit clamping
RoHS 상태 — Compliant

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