2N7002H6327XTSA2 vs BSS123NH6327XTSA1 比較

詳細な並列比較: 2N7002H6327XTSA2 メーカー: Infineon および BSS123NH6327XTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 - 60V N-Ch OptiMOS MOSFET SOT-23 | Infineon

2N7002H6327XTSA2 - 60V N-Ch OptiMOS MOSFET SOT-23 | Infineon

2N7002H6327XTSA2 ✓ 生産中
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BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ 2N7002H6327XTSA2 BSS123NH6327XTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.08 $0.09
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS (Planar) —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) 300 mA (Ta) 190 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 500 mW (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) 3 ohm max @ VGS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: typical and max VGS(th)]
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
動作温度範囲 -55C to +150C (Tj) -55 °C to +150 °C (junction)
パッケージ PG-SOT23 (SOT-23-3) PG-SOT23 (SOT-23-3)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Channel Mode Enhancement —
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS ステータス Compliant —
Lead-Free Yes —
Qualification Industrial / Commercial Grade AEC-Q101 (automotive)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSS123NH6327XTSA1
Part Status — Active
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
RDS(on) Max — 6 Ω @ VGS = 10 V
Gate-Source Voltage Max (VGS) — ±20 V
RoHS Compliance — Yes (Pb-free lead plating)

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