2N7002H6327XTSA2 vs BSS123NH6327XTSA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок 2N7002H6327XTSA2 от Infineon и BSS123NH6327XTSA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 - 60V N-Ch OptiMOS MOSFET SOT-23 | Infineon

2N7002H6327XTSA2 - 60V N-Ch OptiMOS MOSFET SOT-23 | Infineon

2N7002H6327XTSA2 ✓ Активен
Infineon
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр 2N7002H6327XTSA2 BSS123NH6327XTSA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,08 $0,09
Тип транзистора N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS (Planar) —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) 300 mA (Ta) 190 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 500 mW (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) 3 ohm max @ VGS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: typical and max VGS(th)]
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Диапазон рабочих температур -55C to +150C (Tj) -55 °C to +150 °C (junction)
Корпус PG-SOT23 (SOT-23-3) PG-SOT23 (SOT-23-3)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Channel Mode Enhancement —
Уровень MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Статус RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Qualification Industrial / Commercial Grade AEC-Q101 (automotive)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSS123NH6327XTSA1
Part Status — Active
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
RDS(on) Max — 6 Ω @ VGS = 10 V
Gate-Source Voltage Max (VGS) — ±20 V
RoHS Compliance — Yes (Pb-free lead plating)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену