2N7002H6327XTSA2 vs BSS123NH6327XTSA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: 2N7002H6327XTSA2 제조: Infineon 및 BSS123NH6327XTSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | 2N7002H6327XTSA2 | BSS123NH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.08 | $0.09 |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS (Planar) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 300 mA (Ta) | 190 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | 500 mW (Ta) |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 3 ohm max @ VGS = 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | [DATA_NEEDED: typical and max VGS(th)] |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| 동작 온도 범위 | -55C to +150C (Tj) | -55 °C to +150 °C (junction) |
| 패키지 | PG-SOT23 (SOT-23-3) | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| MSL 레벨 | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Qualification | Industrial / Commercial Grade | AEC-Q101 (automotive) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSS123NH6327XTSA1 |
| Part Status | — | Active |
| FET Type | — | N-Channel, Enhancement Mode |
| RDS(on) Max | — | 6 Ω @ VGS = 10 V |
| Gate-Source Voltage Max (VGS) | — | ±20 V |
| RoHS Compliance | — | Yes (Pb-free lead plating) |