2N7002H6327XTSA2 vs BSS123NH6327XTSA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de 2N7002H6327XTSA2 por Infineon e BSS123NH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | 2N7002H6327XTSA2 | BSS123NH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,08 | $0,09 |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS (Planar) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 300 mA (Ta) | 190 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | 500 mW (Ta) |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 3 ohm max @ VGS = 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | [DATA_NEEDED: typical and max VGS(th)] |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55C to +150C (Tj) | -55 °C to +150 °C (junction) |
| Encapsulamento | PG-SOT23 (SOT-23-3) | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Nível MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Qualification | Industrial / Commercial Grade | AEC-Q101 (automotive) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSS123NH6327XTSA1 |
| Part Status | — | Active |
| FET Type | — | N-Channel, Enhancement Mode |
| RDS(on) Max | — | 6 Ω @ VGS = 10 V |
| Gate-Source Voltage Max (VGS) | — | ±20 V |
| RoHS Compliance | — | Yes (Pb-free lead plating) |