BSD214SNH6327XTSA1 vs BSO613SPVGXUMA1 比較

詳細な並列比較: BSD214SNH6327XTSA1 メーカー: Infineon および BSO613SPVGXUMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
BSD214SNH6327XTSA1 BSD214SNH6327XTSA1 - 20V N-Ch OptiMOS 1.5A | Infineon SOT-363

BSD214SNH6327XTSA1 - 20V N-Ch OptiMOS 1.5A | Infineon SOT-363

BSD214SNH6327XTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSD214SNH6327XTSA1 BSO613SPVGXUMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.27 $0.98
FET Type N-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS OptiMOS (Trench)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 20 V —
Continuous Drain Current (Id) at 25C 1.5 A —
Power Dissipation (Pd) at Ta 500 mW —
Gate Drive Voltage (Rds On rated) 2.5 V, 4.5 V —
Rds On (Max) @ Vgs=4.5V [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=4.5V] —
Rds On (Max) @ Vgs=2.5V [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=2.5V] —
Vgs(th) (typical) [DATA_NEEDED: Vgs threshold typical] —
パッケージ SOT-363 (PG-SOT363-PO), 6-pin PG-DSO-8-6 (Power-SO-8)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 -55C to +150C (junction) -55C to +150C (junction, per industry standard for Power-SO-8 MOSFETs)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Lead Plating Pb-free —
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル 1 MSL3 (per JEDEC J-STD-020, industry standard for Power-SO-8)
Standard Pack Quantity 3000 (Tape & Reel) —
Drain-Source Voltage (VDS) — -60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -3.44 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.5 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values]
RDS(on) at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
RDS(on) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=4.5V]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed value]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max +/-V]
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes (per Infineon OptiMOS family)
ピン数 — 8 (6 active, 2 thermal/NC)

データシート&リソース

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