BTS6133DAUMA1 vs BTS4130QGAXUMA1 比較

詳細な並列比較: BTS6133DAUMA1 メーカー: Infineon および BTS4130QGAXUMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ BTS6133DAUMA1 BTS4130QGAXUMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.98 $1.86
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BTS6133DAUMA1 —
Product Type Smart High-Side Power Switch Quad Smart High-Side Power Switch
Technology SIPMOS (N-channel MOSFET with control IC) —
Switch Configuration 1:1 (single high-side) —
出力数 1 —
Peak Drain Current 41 A —
Continuous Load Current 8 A —
Operating Voltage Range [DATA_NEEDED: VBB operating range] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at 25C] —
パッケージ PG-TO252-5-11 (DPAK-5) PG-DSO-20-32 (20-pin DSO, 7.50 mm width)
ピン数 5 —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 -40C to +150C -40 C to +150 C junction
Protection Features Over-temperature, short-circuit, overload, under-voltage, over-voltage, current limitation Current limit, overtemperature shutdown, overvoltage clamp, reverse battery
Diagnostic Feedback Yes (status / fault pin) —
MSLレベル 3 (per JEDEC J-STD-020, typical for DPAK) 3 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS ステータス Compliant Compliant
AEC-Q100 Qualified AEC-Q100 qualified (automotive grade) —
Datasheet Document Size 257 Kbytes (15 pages) —
Number of Channels — 4
トポロジー — High-Side N-Channel MOSFET with charge pump
Continuous Load Current per Channel — 2.1 A
On-State Resistance R_DS(on) per Channel — 130 mOhm typical
動作電源電圧 — 6 V to 18 V (extended to 28 V transient)
Overvoltage Clamp (Load Dump) — 45 V typical
Quiescent Current (Standby) — [DATA_NEEDED: quiescent current value]
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified
Diagnostic Output — Status feedback pin

データシート&リソース

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