H5AN4G8NBJR-PBC vs MT40A512M8RH-083E 比較

詳細な並列比較: H5AN4G8NBJR-PBC メーカー: SK hynix および MT40A512M8RH-083E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN4G8NBJR-PBC H5AN4G8NBJR-PBC - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 FBGA-78 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-PBC - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 FBGA-78 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-PBC ✓ 生産中
Micron Technology
MT40A512M8RH-083E MT40A512M8RH-083E - 4Gb DDR4 512Mx8 2400MHz | Micron

MT40A512M8RH-083E - 4Gb DDR4 512Mx8 2400MHz | Micron

MT40A512M8RH-083E ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN4G8NBJR-PBC MT40A512M8RH-083E
ブランド SK hynix Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.20 $3.30
Memory Density 4 Gbit —
メモリ構成 512M x 8 512M x 8
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
インターフェースタイプ Parallel, JEDEC DDR4 —
Supply Voltage VDD 1.2 V —
Supply Voltage VDDQ 1.2 V —
Speed Grade PBC —
Clock Frequency [DATA_NEEDED: Clock Frequency] —
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
パッケージ 78-ball FBGA 78-ball FBGA (9 x 10.5 mm)
実装タイプ Surface Mount —
Normal Operating Case Temperature 0C to 85C —
Extended Temperature Range up to 95C case (with increased refresh) —
Lead Free Yes —
ハロゲンフリー Yes —
Refresh 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC 64 ms, 8192-cycle refresh (to 95C)
Density — 4 Gbit
Industry Speed Grade — DDR4-2400
Clock Rate — 1.2 GHz
Internal Banks — 8 banks (2 groups of 4)
Prefetch — 8n-bit
VDD / VDDQ — 1.2 V +/-60 mV
VPP — 2.5 V, -125 mV/+250 mV
I/O Structure — 1.2 V pseudo open-drain
VREFDQ — On-die internal, adjustable generation
動作温度 — 0C to +95C
FBGA Code — D9TGG
Marking Code — D9TGG
Data Strobe Preamble — Programmable
RoHS ステータス — Compliant
CASレイテンシ — [DATA_NEEDED: CAS latency per speed bin table]

データシート&リソース

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