H5AN4G8NBJR-PBC vs MT40A512M8RH-083E 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5AN4G8NBJR-PBC 제조: SK hynix 및 MT40A512M8RH-083E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5AN4G8NBJR-PBC | MT40A512M8RH-083E |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.20 | $3.30 |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 512M x 8 | 512M x 8 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 인터페이스 유형 | Parallel, JEDEC DDR4 | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V | — |
| Supply Voltage VDDQ | 1.2 V | — |
| Speed Grade | PBC | — |
| Clock Frequency | [DATA_NEEDED: Clock Frequency] | — |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| 패키지 | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA (9 x 10.5 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| Normal Operating Case Temperature | 0C to 85C | — |
| Extended Temperature Range | up to 95C case (with increased refresh) | — |
| Lead Free | Yes | — |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| Refresh | 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC | 64 ms, 8192-cycle refresh (to 95C) |
| Density | — | 4 Gbit |
| Industry Speed Grade | — | DDR4-2400 |
| Clock Rate | — | 1.2 GHz |
| Internal Banks | — | 8 banks (2 groups of 4) |
| Prefetch | — | 8n-bit |
| VDD / VDDQ | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP | — | 2.5 V, -125 mV/+250 mV |
| I/O Structure | — | 1.2 V pseudo open-drain |
| VREFDQ | — | On-die internal, adjustable generation |
| 동작 온도 | — | 0C to +95C |
| FBGA Code | — | D9TGG |
| Marking Code | — | D9TGG |
| Data Strobe Preamble | — | Programmable |
| RoHS 상태 | — | Compliant |
| CAS 레이턴시 | — | [DATA_NEEDED: CAS latency per speed bin table] |