H5AN4G8NBJR-PBC vs MT40A512M8RH-083E Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G8NBJR-PBC par SK hynix et MT40A512M8RH-083E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN4G8NBJR-PBC | MT40A512M8RH-083E |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,20 | $3,30 |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Type d'interface | Parallel, JEDEC DDR4 | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V | — |
| Supply Voltage VDDQ | 1.2 V | — |
| Speed Grade | PBC | — |
| Clock Frequency | [DATA_NEEDED: Clock Frequency] | — |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Boîtier | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA (9 x 10.5 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Normal Operating Case Temperature | 0C to 85C | — |
| Extended Temperature Range | up to 95C case (with increased refresh) | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| Refresh | 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC | 64 ms, 8192-cycle refresh (to 95C) |
| Density | — | 4 Gbit |
| Industry Speed Grade | — | DDR4-2400 |
| Clock Rate | — | 1.2 GHz |
| Internal Banks | — | 8 banks (2 groups of 4) |
| Prefetch | — | 8n-bit |
| VDD / VDDQ | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP | — | 2.5 V, -125 mV/+250 mV |
| I/O Structure | — | 1.2 V pseudo open-drain |
| VREFDQ | — | On-die internal, adjustable generation |
| Température de fonctionnement | — | 0C to +95C |
| FBGA Code | — | D9TGG |
| Marking Code | — | D9TGG |
| Data Strobe Preamble | — | Programmable |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency per speed bin table] |