H5AN8G6NAFR vs K4A8G165WB-BCWE 比較
詳細な並列比較: H5AN8G6NAFR メーカー: SK hynix および K4A8G165WB-BCWE メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | H5AN8G6NAFR | K4A8G165WB-BCWE |
|---|---|---|
| ブランド | SK hynix | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.12 | $6.55 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| メモリ構成 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| 電源電圧 | 1.2 V | 1.2 V |
| データレート | 2400 MT/s | 3200 Mbps |
| パッケージ | 96-ball FBGA | 96FBGA |
| 動作温度 | 0°C to +85°C | 0C to +85C |
| Lead-Free | Yes | — |
| ハロゲンフリー | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Access Time (CAS Latency) | — | 19 ns |
| インターフェース | — | Parallel |
| 実装タイプ | — | Surface Mount |
| Burst Length | — | 8 |
| Bank Group Architecture | — | Yes |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration |
| Functions | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask |
| RoHS ステータス | — | Compliant |
| Lead Free | — | Yes |