H5AN8G6NAFR vs K4A8G165WB-BCWE Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G6NAFR von SK hynix und K4A8G165WB-BCWE von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | H5AN8G6NAFR | K4A8G165WB-BCWE |
|---|---|---|
| Marke | SK hynix | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,12 | $6,55 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2 V |
| Datenrate | 2400 MT/s | 3200 Mbps |
| Gehäuse | 96-ball FBGA | 96FBGA |
| Betriebstemperatur | 0°C to +85°C | 0C to +85C |
| Lead-Free | Yes | — |
| Halogenfrei | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Access Time (CAS Latency) | — | 19 ns |
| Schnittstelle | — | Parallel |
| Montageart | — | Surface Mount |
| Burst Length | — | 8 |
| Bank Group Architecture | — | Yes |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration |
| Functions | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask |
| RoHS-Status | — | Compliant |
| Lead Free | — | Yes |