H5AN8G6NAFR vs K4A8G165WB-BCWE Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G6NAFR par SK hynix et K4A8G165WB-BCWE par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G6NAFR | K4A8G165WB-BCWE |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,12 | $6,55 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2 V |
| Débit de données | 2400 MT/s | 3200 Mbps |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 96FBGA |
| Température de fonctionnement | 0°C to +85°C | 0C to +85C |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Access Time (CAS Latency) | — | 19 ns |
| Interface | — | Parallel |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Burst Length | — | 8 |
| Bank Group Architecture | — | Yes |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration |
| Functions | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Lead Free | — | Yes |