H5AN8G6NAFR vs K4A8G165WB-BCWE Сравнение
Подробное сравнение бок о бок H5AN8G6NAFR от SK hynix и K4A8G165WB-BCWE от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | H5AN8G6NAFR | K4A8G165WB-BCWE |
|---|---|---|
| Бренд | SK hynix | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,12 | $6,55 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Организация памяти | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Напряжение питания | 1.2 V | 1.2 V |
| Скорость передачи данных | 2400 MT/s | 3200 Mbps |
| Корпус | 96-ball FBGA | 96FBGA |
| Рабочая температура | 0°C to +85°C | 0C to +85C |
| Lead-Free | Yes | — |
| Без галогенов | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Access Time (CAS Latency) | — | 19 ns |
| Интерфейс | — | Parallel |
| Тип монтажа | — | Surface Mount |
| Burst Length | — | 8 |
| Bank Group Architecture | — | Yes |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration |
| Functions | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask |
| Статус RoHS | — | Compliant |
| Lead Free | — | Yes |