H5AN8G8NCJR-UHC vs K4A8G085WB-BCWE 比較
詳細な並列比較: H5AN8G8NCJR-UHC メーカー: SK hynix および K4A8G085WB-BCWE メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | H5AN8G8NCJR-UHC | K4A8G085WB-BCWE |
|---|---|---|
| ブランド | SK hynix | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $2.88 | $12.30 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| メモリ構成 | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Speed Grade | DDR4-2400 (PC4-19200) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| パッケージ | FBGA-78 | 78-ball FBGA |
| 実装タイプ | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| RoHS Code | Yes | — |
| REACH Compliance | Yes (per distributor record) | — |
| Lead-Free | Yes (family documented as Lead-Free & Halogen-Free) | — |
| ハロゲンフリー | Yes | — |
| Part Life Cycle Code | Active | — |
| Access Type | Synchronous, both clock edges (DDR) | — |
| Memory Configuration | Bank-group architecture DDR4 | — |
| Die Revision | CJR (C-die family) | — |
| Manufacturer | SK hynix Inc. | — |
| データレート | — | 3200 Mbps |
| Die Classification | — | B-die |
| インターフェース | — | DDR4 (SSTL12) |
| Application Domain | — | Server, industrial control, networking, embedded systems |
| VREF AC-Noise Derating | — | +/-1% of VDD included in timing deratings |
| RoHS ステータス | — | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] |
| MSLレベル | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Package Body Size | — | [DATA_NEEDED: package dimensions in mm] |