H5AN8G8NCJR-UHC vs K4A8G085WB-BCWE Сравнение
Подробное сравнение бок о бок H5AN8G8NCJR-UHC от SK hynix и K4A8G085WB-BCWE от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | H5AN8G8NCJR-UHC | K4A8G085WB-BCWE |
|---|---|---|
| Бренд | SK hynix | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,88 | $12,30 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Организация памяти | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Speed Grade | DDR4-2400 (PC4-19200) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Корпус | FBGA-78 | 78-ball FBGA |
| Тип монтажа | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| RoHS Code | Yes | — |
| REACH Compliance | Yes (per distributor record) | — |
| Lead-Free | Yes (family documented as Lead-Free & Halogen-Free) | — |
| Без галогенов | Yes | — |
| Part Life Cycle Code | Active | — |
| Access Type | Synchronous, both clock edges (DDR) | — |
| Memory Configuration | Bank-group architecture DDR4 | — |
| Die Revision | CJR (C-die family) | — |
| Manufacturer | SK hynix Inc. | — |
| Скорость передачи данных | — | 3200 Mbps |
| Die Classification | — | B-die |
| Интерфейс | — | DDR4 (SSTL12) |
| Application Domain | — | Server, industrial control, networking, embedded systems |
| VREF AC-Noise Derating | — | +/-1% of VDD included in timing deratings |
| Статус RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] |
| Уровень MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Package Body Size | — | [DATA_NEEDED: package dimensions in mm] |