H5AN8G8NCJR-UHC vs K4A8G085WB-BCWE Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G8NCJR-UHC par SK hynix et K4A8G085WB-BCWE par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G8NCJR-UHC | K4A8G085WB-BCWE |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,88 | $12,30 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Speed Grade | DDR4-2400 (PC4-19200) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Boîtier | FBGA-78 | 78-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| RoHS Code | Yes | — |
| REACH Compliance | Yes (per distributor record) | — |
| Lead-Free | Yes (family documented as Lead-Free & Halogen-Free) | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| Part Life Cycle Code | Active | — |
| Access Type | Synchronous, both clock edges (DDR) | — |
| Memory Configuration | Bank-group architecture DDR4 | — |
| Die Revision | CJR (C-die family) | — |
| Manufacturer | SK hynix Inc. | — |
| Débit de données | — | 3200 Mbps |
| Die Classification | — | B-die |
| Interface | — | DDR4 (SSTL12) |
| Application Domain | — | Server, industrial control, networking, embedded systems |
| VREF AC-Noise Derating | — | +/-1% of VDD included in timing deratings |
| Statut RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Package Body Size | — | [DATA_NEEDED: package dimensions in mm] |