IAUCN04S7N009ATMA1 vs ISC046N13NM6ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUCN04S7N009ATMA1 メーカー: Infineon および ISC046N13NM6ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUCN04S7N009ATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 ✓ 生産中
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ISC046N13NM6ATMA1 ISC046N13NM6ATMA1 - 135V N-Ch MOSFET 142A | Infineon

ISC046N13NM6ATMA1 - 135V N-Ch MOSFET 142A | Infineon

ISC046N13NM6ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUCN04S7N009ATMA1 ISC046N13NM6ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.55 $1.08
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 6 trench MOSFET
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) 175 A —
R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V 0.96 mΩ —
Gate Drive Voltage (V_GS) 10 V —
パッケージ PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 -55C to +175C —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
MSLレベル 1 —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Configuration Single N-Channel —
Supplier Device Package PG-TDSON-8-34 —
Part Family — OptiMOS 6
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 135 V
Continuous Drain Current (ID) at TA — 17 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 142 A
Power Dissipation (PD) at TA — 3 W
Power Dissipation (PD) at TC — 211 W
パッケージ / ケース — PG-TDSON-8
動作温度範囲 — -55 C to +175 C
Gate Drive (recommended) — 10 V (typical)
Packaging — Tape & Reel

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