IAUCN04S7N009ATMA1 vs ISC046N13NM6ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IAUCN04S7N009ATMA1 제조: Infineon 및 ISC046N13NM6ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IAUCN04S7N009ATMA1 | ISC046N13NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.55 | $1.08 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 7 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | OptiMOS 6 trench MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) | 175 A | — |
| R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V | 0.96 mΩ | — |
| Gate Drive Voltage (V_GS) | 10 V | — |
| 패키지 | PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | -55C to +175C | — |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | — |
| MSL 레벨 | 1 | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-34 | — |
| Part Family | — | OptiMOS 6 |
| 트랜지스터 유형 | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 135 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 17 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 142 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 211 W |
| 패키지 / 케이스 | — | PG-TDSON-8 |
| 동작 온도 범위 | — | -55 C to +175 C |
| Gate Drive (recommended) | — | 10 V (typical) |
| Packaging | — | Tape & Reel |