IPP045N10N3GXKSA1 vs IPP100N12S305AKSA1 比較

詳細な並列比較: IPP045N10N3GXKSA1 メーカー: Infineon および IPP100N12S305AKSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IPP100N12S305AKSA1 IPP100N12S305AKSA1 - 120V 100A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

IPP100N12S305AKSA1 - 120V 100A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

IPP100N12S305AKSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPP045N10N3GXKSA1 IPP100N12S305AKSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.20 $2.05
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPP045N10N3GXKSA1 —
Technology OptiMOS 3 OptiMOS trench
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 100 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=25°C 100 A —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=100°C [DATA_NEEDED: I_D at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (I<sub>D,pulse</sub>) 137 A —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at V<sub>GS</sub>=10V 4.5 mΩ —
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> 3.5 V (typical, per LCSC listing) —
Power Dissipation P<sub>D</sub> at T<sub>C</sub>=25°C 214 W —
パッケージ TO-220-3 (PG-TO220-3) through-hole TO-220 (PG-TO220-3-1)
動作温度範囲 -55 °C to +175 °C (junction, typical MOSFET limit) —
実装タイプ Through Hole Through Hole
RoHS ステータス Compliant (per LCSC datasheet excerpt) —
Lead-Free Yes (Infineon G/GX part suffix) —
MSLレベル N/A (through-hole package) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 120 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
パルスドレイン電流 — [DATA_NEEDED: pulsed ID value]
Maximum Power Dissipation (Ptot) at Tc — 300 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Avalanche Energy, Single Pulse — [DATA_NEEDED: EAS]
動作接合温度 — -55 °C to +175 °C
ピン数 — 3
MSL Moisture Sensitivity Level — 1 (260 °C peak reflow)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Avalanche Tested — 100% tested
RoHS Compliance — Compliant (Green product)

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼