IPP045N10N3GXKSA1 vs IPP100N12S305AKSA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPP045N10N3GXKSA1 제조: Infineon 및 IPP100N12S305AKSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IPP045N10N3GXKSA1 IPP100N12S305AKSA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.20 $2.05
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPP045N10N3GXKSA1 —
Technology OptiMOS 3 OptiMOS trench
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 100 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=25°C 100 A —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=100°C [DATA_NEEDED: I_D at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (I<sub>D,pulse</sub>) 137 A —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at V<sub>GS</sub>=10V 4.5 mΩ —
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> 3.5 V (typical, per LCSC listing) —
Power Dissipation P<sub>D</sub> at T<sub>C</sub>=25°C 214 W —
패키지 TO-220-3 (PG-TO220-3) through-hole TO-220 (PG-TO220-3-1)
동작 온도 범위 -55 °C to +175 °C (junction, typical MOSFET limit) —
실장 유형 Through Hole Through Hole
RoHS 상태 Compliant (per LCSC datasheet excerpt) —
Lead-Free Yes (Infineon G/GX part suffix) —
MSL 레벨 N/A (through-hole package) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 120 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
펄스 드레인 전류 — [DATA_NEEDED: pulsed ID value]
Maximum Power Dissipation (Ptot) at Tc — 300 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Avalanche Energy, Single Pulse — [DATA_NEEDED: EAS]
동작 접합 온도 — -55 °C to +175 °C
핀 수 — 3
MSL Moisture Sensitivity Level — 1 (260 °C peak reflow)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Avalanche Tested — 100% tested
RoHS Compliance — Compliant (Green product)

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