IPP100N12S305AKSA1 vs IHW40N120R5XKSA1 比較

詳細な並列比較: IPP100N12S305AKSA1 メーカー: Infineon および IHW40N120R5XKSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IPP100N12S305AKSA1 IPP100N12S305AKSA1 - 120V 100A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

IPP100N12S305AKSA1 - 120V 100A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

IPP100N12S305AKSA1 ✓ 生産中
Infineon
IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5XKSA1 - 1200V 40A RC-H5 IGBT | Infineon

IHW40N120R5XKSA1 - 1200V 40A RC-H5 IGBT | Infineon

IHW40N120R5XKSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPP100N12S305AKSA1 IHW40N120R5XKSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs IGBTs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.05 $3.50
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS trench Trench Field Stop, Reverse-Conducting RC-H5
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
パルスドレイン電流 [DATA_NEEDED: pulsed ID value] —
Maximum Power Dissipation (Ptot) at Tc 300 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Avalanche Energy, Single Pulse [DATA_NEEDED: EAS] —
動作接合温度 -55 °C to +175 °C -40C to +175C
パッケージ TO-220 (PG-TO220-3-1) TO-247-3 (PG-TO247-3) through-hole
実装タイプ Through Hole Through Hole
ピン数 3 —
MSL Moisture Sensitivity Level 1 (260 °C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Avalanche Tested 100% tested —
RoHS Compliance Compliant (Green product) Compliant
Collector-Emitter Voltage (VCE) — 1200 V
Continuous Collector Current (IC, TC=25C) — 80 A
Pulsed Collector Current (ICM) — 160 A
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 394 W
Gate-Emitter Voltage (VGE) — +/-20 V
VCE(sat) at IC=40A, VGE=15V, Tj=25C — [DATA_NEEDED: typical VCE(sat) value]
Integrated Anti-Parallel Diode — Yes (monolithic reverse-conducting)
Storage Temperature — -55C to +150C
Soldering Temperature (max 10s) — 260 C
Switching Application — Resonant / soft switching (induction cooking optimized)
ハロゲンフリー — Yes
MSLレベル — N/A (through-hole)

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼