IPP100N12S305AKSA1 vs IHW40N120R5XKSA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPP100N12S305AKSA1 제조: Infineon 및 IHW40N120R5XKSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5XKSA1 - 1200V 40A RC-H5 IGBT | Infineon

IHW40N120R5XKSA1 - 1200V 40A RC-H5 IGBT | Infineon

IHW40N120R5XKSA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IPP100N12S305AKSA1 IHW40N120R5XKSA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs IGBTs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.05 $3.50
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS trench Trench Field Stop, Reverse-Conducting RC-H5
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
펄스 드레인 전류 [DATA_NEEDED: pulsed ID value] —
Maximum Power Dissipation (Ptot) at Tc 300 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Avalanche Energy, Single Pulse [DATA_NEEDED: EAS] —
동작 접합 온도 -55 °C to +175 °C -40C to +175C
패키지 TO-220 (PG-TO220-3-1) TO-247-3 (PG-TO247-3) through-hole
실장 유형 Through Hole Through Hole
핀 수 3 —
MSL Moisture Sensitivity Level 1 (260 °C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Avalanche Tested 100% tested —
RoHS Compliance Compliant (Green product) Compliant
Collector-Emitter Voltage (VCE) — 1200 V
Continuous Collector Current (IC, TC=25C) — 80 A
Pulsed Collector Current (ICM) — 160 A
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 394 W
Gate-Emitter Voltage (VGE) — +/-20 V
VCE(sat) at IC=40A, VGE=15V, Tj=25C — [DATA_NEEDED: typical VCE(sat) value]
Integrated Anti-Parallel Diode — Yes (monolithic reverse-conducting)
Storage Temperature — -55C to +150C
Soldering Temperature (max 10s) — 260 C
Switching Application — Resonant / soft switching (induction cooking optimized)
할로겐 프리 — Yes
MSL 레벨 — N/A (through-hole)

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