IPP100N12S305AKSA1 vs IPP100N12S305AKSA2 比較

詳細な並列比較: IPP100N12S305AKSA1 メーカー: Infineon および IPP100N12S305AKSA2 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPP100N12S305AKSA1 IPP100N12S305AKSA1 - 120V 100A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

IPP100N12S305AKSA1 - 120V 100A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

IPP100N12S305AKSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPP100N12S305AKSA1 IPP100N12S305AKSA2
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.05 $3.78
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS trench —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 120 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
パルスドレイン電流 [DATA_NEEDED: pulsed ID value] —
Maximum Power Dissipation (Ptot) at Tc 300 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Avalanche Energy, Single Pulse [DATA_NEEDED: EAS] —
動作接合温度 -55 °C to +175 °C —
パッケージ TO-220 (PG-TO220-3-1) PG-TO220-3-1 (Through Hole)
実装タイプ Through Hole Through Hole
ピン数 3 3 (Gate, Drain, Source)
MSL Moisture Sensitivity Level 1 (260 °C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Avalanche Tested 100% tested —
RoHS Compliance Compliant (Green product) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, TC=100C) — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD, TC=25C) — 300 W
On-State Resistance R_DS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: R_DS(on) max]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg value]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: Qrr value]
動作温度範囲 — -55C to +175C (TJ)
RoHS ステータス — Compliant
MSLレベル — N/A (Through Hole)
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)

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