IPP100N12S305AKSA1 vs IPP100N12S305AKSA2 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPP100N12S305AKSA1 제조: Infineon 및 IPP100N12S305AKSA2 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IPP100N12S305AKSA1 IPP100N12S305AKSA2
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.05 $3.78
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS trench —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 120 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
펄스 드레인 전류 [DATA_NEEDED: pulsed ID value] —
Maximum Power Dissipation (Ptot) at Tc 300 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Avalanche Energy, Single Pulse [DATA_NEEDED: EAS] —
동작 접합 온도 -55 °C to +175 °C —
패키지 TO-220 (PG-TO220-3-1) PG-TO220-3-1 (Through Hole)
실장 유형 Through Hole Through Hole
핀 수 3 3 (Gate, Drain, Source)
MSL Moisture Sensitivity Level 1 (260 °C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Avalanche Tested 100% tested —
RoHS Compliance Compliant (Green product) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, TC=100C) — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD, TC=25C) — 300 W
On-State Resistance R_DS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: R_DS(on) max]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg value]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: Qrr value]
동작 온도 범위 — -55C to +175C (TJ)
RoHS 상태 — Compliant
MSL 레벨 — N/A (Through Hole)
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)

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