IRFR3806TRPBF vs IRFR2405TRLPBF 比較

詳細な並列比較: IRFR3806TRPBF メーカー: Infineon および IRFR2405TRLPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IRFR2405TRLPBF IRFR2405TRLPBF - 55V 56A N-Ch HEXFET MOSFET DPAK | Infineon

IRFR2405TRLPBF - 55V 56A N-Ch HEXFET MOSFET DPAK | Infineon

IRFR2405TRLPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRFR3806TRPBF IRFR2405TRLPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.52 $0.55
Transistor Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 43 A 56 A
On-State Resistance RDS(on) max 15.8 mOhm at VGS = 10 V —
Total Gate Charge (Qg) 22 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C 71 W —
パッケージ / ケース TO-252AA (DPAK) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (IR MOSFET, 7th generation)
動作温度範囲 -55 C to +175 C -55 C to +175 C (junction)
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V ±20 V
Number of Units in IC 1 —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix, lead-free) Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant
Avalanche Rated Yes (HEXFET family) —
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Pulsed Drain Current (IDM) — 200 A (typical, per datasheet family)
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 16 mOhm
Gate Charge (Qg) typical — 70 nC
Power Dissipation (PD) at Tc — 110 W
パッケージ — TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab)
Avalanche Energy Rated — Yes (HEXFET ruggedized design)
Packaging — Tape & Reel (TR)

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼