IRFR3806TRPBF vs IRFR2405TRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFR3806TRPBF par Infineon et IRFR2405TRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFR3806TRPBF IRFR2405TRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,52 $0,55
Transistor Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 43 A 56 A
On-State Resistance RDS(on) max 15.8 mOhm at VGS = 10 V —
Total Gate Charge (Qg) 22 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C 71 W —
Boîtier / Format TO-252AA (DPAK) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (IR MOSFET, 7th generation)
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C -55 C to +175 C (junction)
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V ±20 V
Number of Units in IC 1 —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix, lead-free) Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant
Avalanche Rated Yes (HEXFET family) —
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Pulsed Drain Current (IDM) — 200 A (typical, per datasheet family)
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 16 mOhm
Gate Charge (Qg) typical — 70 nC
Power Dissipation (PD) at Tc — 110 W
Boîtier — TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab)
Avalanche Energy Rated — Yes (HEXFET ruggedized design)
Packaging — Tape & Reel (TR)

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