IRFR3806TRPBF vs IRFR2405TRLPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFR3806TRPBF por Infineon e IRFR2405TRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFR3806TRPBF IRFR2405TRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,52 $0,55
Transistor Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 43 A 56 A
On-State Resistance RDS(on) max 15.8 mOhm at VGS = 10 V —
Total Gate Charge (Qg) 22 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C 71 W —
Encapsulamento / Caixa TO-252AA (DPAK) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (IR MOSFET, 7th generation)
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C -55 C to +175 C (junction)
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V ±20 V
Number of Units in IC 1 —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix, lead-free) Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant
Avalanche Rated Yes (HEXFET family) —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Pulsed Drain Current (IDM) — 200 A (typical, per datasheet family)
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 16 mOhm
Gate Charge (Qg) typical — 70 nC
Power Dissipation (PD) at Tc — 110 W
Encapsulamento — TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab)
Avalanche Energy Rated — Yes (HEXFET ruggedized design)
Packaging — Tape & Reel (TR)

Fichas técnicas e recursos

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