IRFR540ZTRPBF vs IRFB3207ZPBF 比較

詳細な並列比較: IRFR540ZTRPBF メーカー: Infineon および IRFB3207ZPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRFR540ZTRPBF IRFR540ZTRPBF - 100V N-Ch MOSFET, 35A, DPAK | Infineon

IRFR540ZTRPBF - 100V N-Ch MOSFET, 35A, DPAK | Infineon

IRFR540ZTRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRFR540ZTRPBF IRFB3207ZPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.32 $1.62
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) 35 A (at Tc) —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance Rds(on) Max 28.5 mOhm at Vgs=10V —
Gate-Source Threshold Vgs(th) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) 39 nC —
Power Dissipation (Pd) 91 W (at Tc) —
動作温度範囲 -55 C to +175 C (junction) —
パッケージ TO-252AA (DPAK) surface mount TO-220AB (3-lead through-hole)
Technology IR MOSFET N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized)
実装タイプ Surface Mount Through Hole
ピン数 3 (Gate, Drain, Source) —
MSLレベル 1 (unlimited floor life at <30 C / 85% RH) N/A (through-hole)
RoHS ステータス Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRFB3207ZPBF
Series — HEXFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 75 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 120 A
Silicon-Limited Drain Current — 170 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 3.3 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.1 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissition (PD) at TC=25C — 300 W
動作接合温度 — -55 C to +175 C
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free)
Avalanche Rated — Yes (improved Z-variant ruggedness)

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