IRS21271STRPBF vs IR2117STRPBF 比較

詳細な並列比較: IRS21271STRPBF メーカー: Infineon および IR2117STRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRS21271STRPBF IRS21271STRPBF - 600V High-Side Gate Driver IC | Infineon

IRS21271STRPBF - 600V High-Side Gate Driver IC | Infineon

IRS21271STRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRS21271STRPBF IR2117STRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.02 $0.58
機能 High-Side Gate Driver with Current Sense and Fault Output Gate Driver, Non-Inverting
Number of Channels 1 —
Input Type Non-Inverting —
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage 600 V —
Gate Drive Voltage Range 9 V to 20 V (automotive VBS range) —
VCC Supply Voltage 12 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.29 A —
Sink Current (typical) 0.6 A —
Logic Input Compatibility CMOS / LSTTL, down to 3.3 V —
Current Sense Comparator Integrated (CS pin with reference) —
Fault Output Yes (open-drain FAULT pin) —
Floating Channel Transient Immunity Negative VS transient tolerant, dV/dt immune —
動作温度範囲 -40C to +125C -40 C to +125 C
パッケージ 8-SOIC (3.90 mm body width) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル MSL 3 MSL3 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates lead-free) —
Configuration — High-Side Single Channel
Input Logic Compatibility — CMOS / TTL
出力数 — 1
Driven Device — N-Channel MOSFET / IGBT
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Channel Offset Voltage — up to +600 V
Peak Source Current (IOUT+) — 250 mA
Peak Sink Current (IOUT-) — 500 mA
Propagation Delay (Ton/Toff) — 125 ns (max)
立ち上がり時間 — 80 ns (typ)
立ち下がり時間 — 40 ns (typ)
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes
Negative Transient Voltage Tolerance — Yes, dV/dt immune
パッケージ / ケース — 8-SOIC (0.154 inch / 3.90 mm width)
RoHS ステータス — Compliant
Lead-Free — Yes

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