IRS21271STRPBF vs IR2117STRPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRS21271STRPBF 제조: Infineon 및 IR2117STRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IRS21271STRPBF IR2117STRPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.02 $0.58
기능 High-Side Gate Driver with Current Sense and Fault Output Gate Driver, Non-Inverting
Number of Channels 1 —
Input Type Non-Inverting —
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage 600 V —
Gate Drive Voltage Range 9 V to 20 V (automotive VBS range) —
VCC Supply Voltage 12 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.29 A —
Sink Current (typical) 0.6 A —
Logic Input Compatibility CMOS / LSTTL, down to 3.3 V —
Current Sense Comparator Integrated (CS pin with reference) —
Fault Output Yes (open-drain FAULT pin) —
Floating Channel Transient Immunity Negative VS transient tolerant, dV/dt immune —
동작 온도 범위 -40C to +125C -40 C to +125 C
패키지 8-SOIC (3.90 mm body width) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 MSL 3 MSL3 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates lead-free) —
Configuration — High-Side Single Channel
Input Logic Compatibility — CMOS / TTL
출력 수 — 1
Driven Device — N-Channel MOSFET / IGBT
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Channel Offset Voltage — up to +600 V
Peak Source Current (IOUT+) — 250 mA
Peak Sink Current (IOUT-) — 500 mA
Propagation Delay (Ton/Toff) — 125 ns (max)
상승 시간 — 80 ns (typ)
하강 시간 — 40 ns (typ)
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes
Negative Transient Voltage Tolerance — Yes, dV/dt immune
패키지 / 케이스 — 8-SOIC (0.154 inch / 3.90 mm width)
RoHS 상태 — Compliant
Lead-Free — Yes

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