K4A8G085WB-BCWE vs H5AN8G8NCJR-UHC 比較
詳細な並列比較: K4A8G085WB-BCWE メーカー: Samsung Electronics および H5AN8G8NCJR-UHC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4A8G085WB-BCWE | H5AN8G8NCJR-UHC |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | SK hynix |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $12.30 | $2.88 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| メモリ構成 | 1G x 8 | 1G x 8 |
| データレート | 3200 Mbps | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| 動作温度 | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| パッケージ | 78-ball FBGA | FBGA-78 |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Die Classification | B-die | — |
| インターフェース | DDR4 (SSTL12) | — |
| Application Domain | Server, industrial control, networking, embedded systems | — |
| VREF AC-Noise Derating | +/-1% of VDD included in timing deratings | — |
| RoHS ステータス | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] | — |
| MSLレベル | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Package Body Size | [DATA_NEEDED: package dimensions in mm] | — |
| Speed Grade | — | DDR4-2400 (PC4-19200) |
| RoHS Code | — | Yes |
| REACH Compliance | — | Yes (per distributor record) |
| Lead-Free | — | Yes (family documented as Lead-Free & Halogen-Free) |
| ハロゲンフリー | — | Yes |
| Part Life Cycle Code | — | Active |
| Access Type | — | Synchronous, both clock edges (DDR) |
| Memory Configuration | — | Bank-group architecture DDR4 |
| Die Revision | — | CJR (C-die family) |
| Manufacturer | — | SK hynix Inc. |