K4A8G085WB-BCWE vs H5AN8G8NCJR-UHC Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4A8G085WB-BCWE от Samsung Electronics и H5AN8G8NCJR-UHC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | K4A8G085WB-BCWE | H5AN8G8NCJR-UHC |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | SK hynix |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $12,30 | $2,88 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Организация памяти | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Скорость передачи данных | 3200 Mbps | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Рабочая температура | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Корпус | 78-ball FBGA | FBGA-78 |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Die Classification | B-die | — |
| Интерфейс | DDR4 (SSTL12) | — |
| Application Domain | Server, industrial control, networking, embedded systems | — |
| VREF AC-Noise Derating | +/-1% of VDD included in timing deratings | — |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] | — |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Package Body Size | [DATA_NEEDED: package dimensions in mm] | — |
| Speed Grade | — | DDR4-2400 (PC4-19200) |
| RoHS Code | — | Yes |
| REACH Compliance | — | Yes (per distributor record) |
| Lead-Free | — | Yes (family documented as Lead-Free & Halogen-Free) |
| Без галогенов | — | Yes |
| Part Life Cycle Code | — | Active |
| Access Type | — | Synchronous, both clock edges (DDR) |
| Memory Configuration | — | Bank-group architecture DDR4 |
| Die Revision | — | CJR (C-die family) |
| Manufacturer | — | SK hynix Inc. |