K4A8G085WB-BCWE vs H5AN8G8NCJR-UHC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G085WB-BCWE par Samsung Electronics et H5AN8G8NCJR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G085WB-BCWE | H5AN8G8NCJR-UHC |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $12,30 | $2,88 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Débit de données | 3200 Mbps | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Boîtier | 78-ball FBGA | FBGA-78 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Die Classification | B-die | — |
| Interface | DDR4 (SSTL12) | — |
| Application Domain | Server, industrial control, networking, embedded systems | — |
| VREF AC-Noise Derating | +/-1% of VDD included in timing deratings | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Package Body Size | [DATA_NEEDED: package dimensions in mm] | — |
| Speed Grade | — | DDR4-2400 (PC4-19200) |
| RoHS Code | — | Yes |
| REACH Compliance | — | Yes (per distributor record) |
| Lead-Free | — | Yes (family documented as Lead-Free & Halogen-Free) |
| Sans halogène | — | Yes |
| Part Life Cycle Code | — | Active |
| Access Type | — | Synchronous, both clock edges (DDR) |
| Memory Configuration | — | Bank-group architecture DDR4 |
| Die Revision | — | CJR (C-die family) |
| Manufacturer | — | SK hynix Inc. |