K4A8G085WB-BCWE vs H5AN8G8NCJR-UHC Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4A8G085WB-BCWE por Samsung Electronics e H5AN8G8NCJR-UHC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4A8G085WB-BCWE | H5AN8G8NCJR-UHC |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | SK hynix |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $12,30 | $2,88 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organização da memória | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Taxa de dados | 3200 Mbps | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Temperatura de operação | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Encapsulamento | 78-ball FBGA | FBGA-78 |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Die Classification | B-die | — |
| Interface | DDR4 (SSTL12) | — |
| Application Domain | Server, industrial control, networking, embedded systems | — |
| VREF AC-Noise Derating | +/-1% of VDD included in timing deratings | — |
| Status RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] | — |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Package Body Size | [DATA_NEEDED: package dimensions in mm] | — |
| Speed Grade | — | DDR4-2400 (PC4-19200) |
| RoHS Code | — | Yes |
| REACH Compliance | — | Yes (per distributor record) |
| Lead-Free | — | Yes (family documented as Lead-Free & Halogen-Free) |
| Livre de halogênio | — | Yes |
| Part Life Cycle Code | — | Active |
| Access Type | — | Synchronous, both clock edges (DDR) |
| Memory Configuration | — | Bank-group architecture DDR4 |
| Die Revision | — | CJR (C-die family) |
| Manufacturer | — | SK hynix Inc. |