K4A8G165WB-BCRC vs H5AN8G6NDJR 比較
詳細な並列比較: K4A8G165WB-BCRC メーカー: Samsung Electronics および H5AN8G6NDJR メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4A8G165WB-BCRC | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | SK hynix |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $12.57 | $35.00 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) | DDR4 SDRAM |
| メモリサイズ | 8 Gb (1 GB) | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| データレート | 2400 Mbps (PC4-19200) | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| 電源電圧 | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.2 V |
| Technology | CMOS DRAM, Samsung 8Gb B-die | — |
| パッケージ | 96-ball FBGA (PBGA96) | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | — |
| 動作温度 | -40C to +95C | — |
| インターフェース | DDR4 (Double Data Rate, synchronous) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT with dynamic ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC / CA Parity | Yes (CRC function) | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| RoHS ステータス | Compliant | — |
| Density | — | 8 Gb |
| メモリ構成 | — | 512M x 16 |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| CASレイテンシ | — | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| RoHS | — | Compliant |
| 特長 | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |