K4A8G165WB-BCRC vs H5AN8G6NDJR Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4A8G165WB-BCRC от Samsung Electronics и H5AN8G6NDJR от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2400Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCRC ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | K4A8G165WB-BCRC | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | SK hynix |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $12,57 | $35,00 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) | DDR4 SDRAM |
| Размер памяти | 8 Gb (1 GB) | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| Скорость передачи данных | 2400 Mbps (PC4-19200) | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Напряжение питания | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.2 V |
| Technology | CMOS DRAM, Samsung 8Gb B-die | — |
| Корпус | 96-ball FBGA (PBGA96) | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | — |
| Рабочая температура | -40C to +95C | — |
| Интерфейс | DDR4 (Double Data Rate, synchronous) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT with dynamic ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC / CA Parity | Yes (CRC function) | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| Статус RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Организация памяти | — | 512M x 16 |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Задержка CAS | — | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| RoHS | — | Compliant |
| Особенности | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |