K4A8G165WB-BCRC vs H5AN8G6NDJR Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4A8G165WB-BCRC por Samsung Electronics e H5AN8G6NDJR por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4A8G165WB-BCRC | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | SK hynix |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $12,57 | $35,00 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) | DDR4 SDRAM |
| Tamanho da memória | 8 Gb (1 GB) | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| Taxa de dados | 2400 Mbps (PC4-19200) | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Tensão de alimentação | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.2 V |
| Technology | CMOS DRAM, Samsung 8Gb B-die | — |
| Encapsulamento | 96-ball FBGA (PBGA96) | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | — |
| Temperatura de operação | -40C to +95C | — |
| Interface | DDR4 (Double Data Rate, synchronous) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT with dynamic ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC / CA Parity | Yes (CRC function) | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Organização da memória | — | 512M x 16 |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Latência CAS | — | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| RoHS | — | Compliant |
| Recursos | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |