K4A8G165WB-BCRC vs H5AN8G6NDJR Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G165WB-BCRC par Samsung Electronics et H5AN8G6NDJR par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G165WB-BCRC | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $12,57 | $35,00 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 8 Gb (1 GB) | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| Débit de données | 2400 Mbps (PC4-19200) | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Tension d'alimentation | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.2 V |
| Technology | CMOS DRAM, Samsung 8Gb B-die | — |
| Boîtier | 96-ball FBGA (PBGA96) | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Température de fonctionnement | -40C to +95C | — |
| Interface | DDR4 (Double Data Rate, synchronous) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT with dynamic ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC / CA Parity | Yes (CRC function) | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | — | 512M x 16 |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Latence CAS | — | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| RoHS | — | Compliant |
| Caractéristiques | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |