K4B4G1646D-BYH9 vs NT5CC256M16DN-FLNA 比較
詳細な並列比較: K4B4G1646D-BYH9 メーカー: Samsung Electronics および NT5CC256M16DN-FLNA メーカー: Nanya Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ 生産中
仕様比較
| パラメータ | K4B4G1646D-BYH9 | NT5CC256M16DN-FLNA |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Nanya Technology |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $2.30 | $6.00 |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| メモリ構成 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| データレート | 1333 Mbps | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| 電源電圧 | 1.35 V | — |
| 動作温度 | 0 ~ 85 °C | — |
| パッケージ | 96FBGA | 96-ball FBGA |
| Number of Banks | 8 | — |
| CASレイテンシ | Programmable | 11 |
| Write Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Internal Calibration | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| ハロゲンフリー | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| メモリタイプ | — | DDR3L SDRAM |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V (1.283V-1.45V) |
| Backward Compatible Voltage | — | 1.5V ±0.075V |
| Burst Length | — | 8 |
| 動作温度範囲 | — | Commercial: 0°C to +95°C (Tcase), Industrial: -40°C to +95°C (Tcase), Automotive: -40°C to +105°C (Tcase) |
| インターフェース | — | 16-bit I/O |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| DLL | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |