K4B4G1646D-BYH9 vs NT5CC256M16DN-FLNA Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646D-BYH9 par Samsung Electronics et NT5CC256M16DN-FLNA par Nanya Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646D-BYH9 | NT5CC256M16DN-FLNA |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Nanya Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,30 | $6,00 |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Débit de données | 1333 Mbps | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| Tension d'alimentation | 1.35 V | — |
| Température de fonctionnement | 0 ~ 85 °C | — |
| Boîtier | 96FBGA | 96-ball FBGA |
| Number of Banks | 8 | — |
| Latence CAS | Programmable | 11 |
| Write Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Internal Calibration | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| Type de mémoire | — | DDR3L SDRAM |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V (1.283V-1.45V) |
| Backward Compatible Voltage | — | 1.5V ±0.075V |
| Burst Length | — | 8 |
| Plage de température de fonctionnement | — | Commercial: 0°C to +95°C (Tcase), Industrial: -40°C to +95°C (Tcase), Automotive: -40°C to +105°C (Tcase) |
| Interface | — | 16-bit I/O |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| DLL | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |